三星 HBM3E 内存因过热和功耗问题未能通过英伟达认证

三星的 HBM3E 内存未能通过英伟达（NVIDIA）的认证测试，给这家韩国制造商带来了新的问题。

功耗和发热问题是三星 HBM3E 内存认证失败的罪魁祸首，英伟达主要选择 SK Hynix。

几周前，围绕三星 HBM 工艺缺陷的消息浮出水面。非官方消息来源称，这家韩国巨头的 HBM 产品未能达到英伟达的预期。不过，路透社也重申了这一进展，表明三星阵营的情况并不乐观。值得注意的是，获得英伟达的 HBM 订单是三星内存部门发展战略的重要组成部分，而最近的传言有可能成为这家韩国公司的巨大挫折。

路透社报道称，三星的 HBM3 和 HBM3E 工艺一直是效率低下的受害者，这也是英伟达（NVIDIA）等公司无法下大订单的原因。据说，HBM 产品存在 "发热和功耗 "问题；因此，它们无法通过绿色团队设定的资格测试。不过，在三星公司向路透社发表的一份声明中，这家韩国巨头表示，未能通过资格测试的说法并不成立，该公司与合作伙伴密切合作，优化其产品。

无论事态发展是否属实，这对三星的 HBM 产品来说都是一个打击，因为这将最终导致客户对此类报告犹豫不决，从而阻碍 HBM 产品的大规模应用。不过，有必要指出的是，未能通过资格测试当然并不意味着三星的工艺存在缺陷；实际上，三星已经向 AMD 提供了 HBM3 内存，用于其 Instinct MI300X 加速器。

最初的报道认为，测试失败与英伟达的合作伙伴（如 SK hynix）设立的标准过高有关，也有人认为这与台积电不愿看到三星加入供应链有关，因此目前情况确实不明朗，我们还不能妄下结论。