三星电子展示颠覆性的下一代 3D DRAM 技术

三星电子（Samsung Electronics）计划进入新的 3D DRAM 领域，展示最新技术，推动市场向未来发展。

三星成为首家进入 3D DRAM 时代的公司，计划在十年内推出解决方案。

在过去的几个季度里，DRAM 行业有些沉寂，显然，各公司都在忙于应对高库存水平和低消费需求所带来的严峻财务状况。

现在情况有所改善，重点终于转移到了下一代研发上，这一次，三星提出了自己的 3D DRAM 实现方案，预计将在明年生效。

根据浮出水面的演示幻灯片，DRAM 行业正在向 10nm 以下的压缩线迈进。为了打破现代 DRAM 技术创新的僵局，三星计划推出两种新方法，即垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM，这两种方法都涉及元件定位的差异，最终会减少器件面积的占用，从而确保更高的性能。

同样，为了提高内存容量，三星计划利用堆叠 DRAM 概念，使公司能够实现更高的存储空间比，从而在未来将芯片容量提高到可能的 100 GB。因此，据预测，到 2028 年，3D DRAM 市场将增长到 1,000 亿美元。从目前来看，三星的发展相对较早，这可能意味着这家韩国巨头将引领未来的 DRAM 产业，但现在还言之过早。