传英特尔 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 节点制造

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传英特尔 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 节点制造

据报道,英特尔的 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 工艺,有望与英伟达 H100 和 AMD MI300X 竞争。

英特尔利用台积电 5nm 节点开发 Gaudi 3 加速器,明年发布将与英伟达 H100 和 AMD MI300X 竞争。

传英特尔 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 节点制造插图

在发布英特尔第五代至强可扩展 CPU 和酷睿 Ultra "Meteor Lake" CPU的同时,英特尔首席执行官帕特-盖尔辛格(Pat Gelsinger)还透露了该公司下一代人工智能加速器的一小部分信息,但并未透露具体细节。不过,来自韩国媒体的报道揭示了蓝队的 Gaudi 3 加速器可能会带来什么,预计它将在人工智能性能方面与英伟达的 H100 和 AMD 的 Instinct MI300X AI GPU 竞争。

传英特尔 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 节点制造插图1

英特尔确实透露,其 Gaudi 3 人工智能加速器的性能将比之前的同类产品 Gaudi 2 高出 1.5 倍,BFloat16 性能提高四倍,计算能力提高两倍,内存容量提高 50%,达到 144 GB,而目前的 Gaudi 2 加速器只有 96GB。此外,预计该加速器将采用 HBM3 或 HBM3e,这有望使其与当前的行业产品相媲美,使其更具竞争力,成为一个可行的替代方案,尤其是考虑到其与英伟达公司 H100 GPU 的功耗/瓦特比。

我们的 Gaudi 路线图仍在按部就班地进行,Gaudi 3 已经出厂,目前正在封装中,预计将于明年推出。2025 年,Falcon Shores 将把我们的 GPU 和 Gaudi 功能整合到单一产品中。

Pat Gelsinger(英特尔首席执行官),via SeekingAlpha

最新浮出水面的信息显示,英特尔的 Gaudi 3 将采用台积电的 5 纳米工艺。英伟达的 H100 也采用了类似的工艺,只不过是经过优化的 4N 工艺,而 MI300X GPU 则同时采用了 5nm 和 6nm 工艺技术。

此外,据说英特尔在设计芯片时得到了台湾 Al chip Technologies 公司的帮助,并将在即将推出的 Goya 推理芯片中继续这样做。不过,我们还没有看到更多关于英特尔高迪迭代的信息,但从外观上看,该架构的未来的确令人兴奋。

传英特尔 Gaudi 3 人工智能加速器采用台积电 5nm 节点制造插图2

英特尔表示对未来的人工智能市场充满信心,并暗示未来将把重点转向推理。蓝队计划在 2024 年之前推出下一代加速器,届时高迪平台将如何发展,我们拭目以待。

来源:Ctee

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