随着企业掀起人工智能浪潮，将需要更多的数据中心 PC。这些数据中心还需要在系统中安装更多内存，以及英伟达等公司提供的功能强大的 GPU。今天，三星电子（Samsung Electronics）宣布已开发出全球首款采用 12 纳米（nm）制造工艺的 32 千兆位（Gb）DDR5 DRAM。
三星在新闻稿中称，这种新工艺将目前 16Gb 模块的封装内存容量提高了一倍，该公司早在 2023 年 5 月就开始量产这种模块。该公司补充道：
以前，使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模块需要采用硅通孔 (TSV) 工艺。然而，通过使用三星的 32Gb DRAM，现在可以在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块，与使用 16Gb DRAM 的 128GB 模块相比，功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等注重能效的企业的最佳解决方案。
三星补充说，这一新发展将为未来某个时候创造高达 1TB 的 DRAM 模块铺平道路。该公司计划向数据中心以及其他"需要人工智能和下一代计算等应用"的公司提供新的 32Gb DRAM 产品。
新的 32Gb DDR5 DRAM 计划于 2023 年底前开始量产。三星没有透露这些新产品的价位。
该公司还指出，它于 1983 年生产出第一款 DRAM 存储器产品。当时，它是一款 64 千位（Kb）的 DRAM 模块，处于计算技术的最前沿。三星指出，2023 年，随着其 32Gb DDR5 DRAM 产品的推出，其内存容量"在过去 40 年中增加了 50 万倍"。
