三星宣布推出业界首款12纳米DDR5内存 为AMD进行优化

三星正在按计划开始大规模生产基于业界首创的12纳米工艺的DDR5 DRAM的新内存芯片。该公司的目标是在2023年开始制造新的芯片，以 "推动下一代计算、数据中心和人工智能应用"，这要归功于改进的性能和更高的功率效率。

三星公司的新16千兆位（Gb）DRAM芯片将使所有采用DDR5标准的平台受益。然而，该公司强调了专门针对AMD的改进。官方新闻稿称，这些芯片为支持DDR5的最新AMD Zen平台（Zen4和AM5插座）进行了 "优化和验证"。

转而采用较新的12纳米技术工艺，使三星能够将速度提高到7.2Gbps（大约相当于在一秒钟内处理两部32GB的UHD电影），而消耗量比 "以前的DRAM "少23%。更新后的内存将使用一种新的高K材料，增加单元容量并改善 "关键电路特性"。三星还吹嘘说这是业界最高的芯片密度，使晶圆生产力提高20%。

三星承诺将在广泛的细分市场上使用新的12纳米DDR5 DRAM芯片，因此预计在各种计算机和服务器中使用更快和更有效的RAM。你可以在官方新闻稿中了解更多：

Samsung Electronics Develops Industry’s First 12nm-Class DDR5 DRAM – Samsung Global Newsroom