英特尔 Arrow Lake 处理器系列将全面使用台积电工艺

英特尔 18A 工艺节点有望改进 RibbonFET，使晶体管性能大幅提升。RibbonFET 是英特尔代工厂实现的全栅极（GAA）晶体管，与 FinFET 相比提高了密度和性能。继路透社报道称英特尔的下一个主要工艺节点没有达到客户预期之后，英特尔提供了英特尔 18A 的最新进展。

英特尔表示，自 7 月份发布英特尔 18A 工艺设计工具包（PDK）1.0 以来，已经收到了生态系统的积极回应。该公司证实，英特尔 18A 已经 “接通电源，在操作系统上启动，并且产出良好”。该公司声称，英特尔 18A 工艺目前的缺陷密度已经达到 D0。

由于英特尔 18A 的积极进展，英特尔决定提前将工程资源从英特尔 20A 转移到英特尔 18A 上。因此，英特尔最新的 Arrow Lake 处理器系列可能主要采用台积电制造，并由英特尔代工厂封装。

英特尔公司技术开发副总裁 Ben Sell 表示：

英特尔 18A 的发展历程建立在英特尔 20A 所奠定的基础之上。它使我们能够探索和完善对推进摩尔定律至关重要的新技术、新材料和晶体管架构。通过英特尔 20A，我们首次成功地集成了 RibbonFET 全栅极晶体管架构和 PowerVia 背面功率传输技术，这些经验直接指导了这两项技术在英特尔 18A 中的首次商业应用。

明年推出的英特尔 18A 将采用优化的带状堆栈，以提供更好的每瓦性能和最低电源电压 (Vmin)。此外，PowerVia 背面电源交付架构将把标准单元利用率提高 5-10%，ISO-电源性能提高 4%。英特尔18A主要面向服务器、高性能计算和移动应用。

虽然资源的转移可能会影响到 Arrow Lake，但对 18A 的关注彰显了英特尔重新夺回行业领导地位的决心。