台积电前研发副总裁认为华为有可能制造出 5 纳米 SoC

华为不畏美国制裁，为一系列旗舰机量产 7 纳米麒麟 9000S 被业界观察家视为奇迹，但这并不意味着前路会变得更容易。在最新的报告中，台积电前研发副总裁（因发明浸没式光刻技术而闻名）被誉为 "芯片专家"，他表示，在现有的 DUV 设备上制造 5 纳米芯片组将非常昂贵，但也是可行的。

使用 DUV 设备批量生产 5 纳米硅片至少需要四次图案化过程，不仅耗时，而且成本高昂。

据报道，P70、P70 和 P70 Art 正在开发中，预计将于 2024 年推出，是华为明年的第一波旗舰手机。不过，目前还没有关于这些高端智能手机将使用哪种芯片组的信息，但被 DigiTimes 称为 "芯片专家" 的 Burn Lin 声称，在 DUV 机器上从 7 纳米芯片向 5 纳米芯片过渡是可能的，但华为将为此付出代价。报道称，在中芯国际现有的 DUV 光刻机上，量产 5 纳米 SoC 至少需要四倍图案化。

不幸的是，这种工艺的缺点是不仅耗时长，而且成本高，并会影响整体产量，这表明华为明年的 P70 系列可能没有足够的 "下一代" 5 纳米麒麟芯片供应。不过，Lin 并未将使用 EUV 设备大规模生产 5nm 芯片与使用 DUV 进行比较。荷兰尖端设备制造商 ASML 已被禁止向中芯国际等厂商提供突破 7 纳米门槛所需的设备，美国试图扼杀该地区的进步。

另一个挑战是，在使用 DUV 机器时，需要在多次曝光过程中进行精确对准，这可能需要时间，而且任何错位都有可能发生，从而导致产量降低，制造这些晶片的时间增加。Lin 表示，沉浸式 DUV 技术可以实现六倍图案，但问题同样来自上述相关缺点。

因此，中芯国际可能会就这些 5nm 晶圆向华为收取高得惊人的费用，而且鉴于这家前中国巨头的大部分智能手机出货量仅限于一个国家，芯片组的产量也会降低，从而导致这些麒麟 SoC 的价格进一步上涨。目前还不知道华为和中芯国际未来能否采购到一些 EUV 设备，但有报道称，中国政府正在投入数十亿美元减少对外部供应商的依赖，包括受美国影响的供应商。

来源：DigiTimes