Micron公司宣布其用于现代智能手机的UFS 4.0存储芯片的首批出货量，该芯片提供快速启动、快速应用启动和快速视频处理。新的芯片建立在Micron的232层3D NAND存储器上，提供高达1TB的容量。该制造商还声称，其"高度可配置的固件"与技术改进相结合，为旗舰智能手机提供了无与伦比的性能。
Micron UFS 4.0存储为旗舰智能手机提供了业界最快的性能1，具有快速启动、快速视频下载、即时访问用户的照片库和快速启动应用的功能。
Micron UFS 4.0闪存是在先进的232层3D NAND技术和低功耗控制器上定制的，容量最高可达1TB。我们同类最佳的UFS 4.0存储设备能够在旗舰智能手机中实现卓越的终端用户体验。
Micron的UFS 4.0芯片使用三层单元（TLC），写入带宽为100%，读取带宽增加了75%，从而使连续写入速度达到4000MB/s，连续读取速度达到4300MB/s。美光拥有其新的六层NAND架构（存储单元阵列堆叠在更多的层中），提高了随机读取吞吐量，这是提高整体响应速度和加快加载时间的关键规格。这种架构将在使用512GB和1TB UFS 4.0芯片的设备上使用，因为256GB配置使用四面NAND。
然而，这并不全是速度问题。新的内存承诺提高25%的能源效率，确保你的智能手机不会因为性能提升而加速耗尽电池。与UFS 3.1存储解决方案相比，客户可以期待15%的应用启动速度、20%的启动速度和25%的电源效率。此外，Micron的UFS 4.0存储与其他制造商提供的产品（可能是三星在2022年宣布的UFS 4.0芯片）相比，写延迟提高10%。
Micron承诺将在2023年下半年开始大规模生产其新的UFS 4.0存储芯片，为智能手机制造商提供三种存储配置： 256GB、512GB和1TB。除了旗舰手机外，美光的新存储将进入汽车、计算系统和其他需要低功耗内存、高性能和稳定可靠性的设备。你可以在制造商的官方网站上了解更多关于美光新的UFS 4.0存储的信息：
